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【参考文献】Kressea,J.Furthmüllerb,Efficiencyofab-initiototalenergycalculationsformetalsandsemiconductorsusingaplane-wavebasisset,Comp.Mater.Sci.,1996,6,15.Diaz,R.Addou,M.Batzill,InterfacepropertiesofCVDgrowngraphenetransferredontoMoS2(0001),Nanoscale,2014,6,1071.Alidoust,G.Bian,S.Xu,R.Sankar,M.Neupane,C.Liu,I.Belopolski,D.Qu,J.Denlinger,F.Chou,M.Hasan,Observationofmonolayervalencebandspin-orbiteffectandinducedquantumwellstatesinMoX2,Nat.Comm.,2015,5,4673.Lee,H.Yan,L.Brus,T.Heinz,J.Hone,S.Ryu,AnomalousLatticeVibrationsofSingleandFew-LayerMoS2,ACSNano,2010,4,2695.如果您想利用上述理论计算方法，全球欢迎您使用材料人计算模拟解决方案。相对于STM的材料表面电子结构表征，中国ARPES则可以得到材料内部的经脉—能带结构。电动第那么有什么方法能够直接证明计算的模型和实验的相关性呢？当然就是直接根据计算模型的参数去模拟出实验表征的图像。
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